科学报告厅｜前沿科技&书香九三@燕园系列讲座第六讲——彭海琳“漫谈未来芯片技术与二维材料”
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在这里，你不仅能听到权威专家对各个领域最新进展和前沿问题的解读与分析，还能与他们面对面交流互动，拓展自己的视野和知识面。在这里，你不仅能接触到丰富有内涵和魅力的科学的奥秘，还能结识志同道合的朋友，共同探讨感兴趣的话题。在这里，你不仅能收获知识和技能，还能提升自己的综合素质和创新能力。
以下是前沿科技系列讲座第六讲“漫谈未来芯片技术与二维材料”的具体信息，名额有限，快来报名参加吧！
讲座主题：漫谈未来芯片技术与二维材料
主讲嘉宾：彭海琳（北京大学博雅特聘教授、国家杰出青年基金获得者、中组部“万人计划”科技领军人才、教育部长江学者特聘教授、国家重点研发计划首席科学家、中国化学会会士）
主持人：王旭（北京大学图书馆副研究馆员，九三学社北京大学委员会副主委）
时间：2023年12月13日 星期三 15:00—16:30
地点：图书馆北配楼科学报告厅（一教对面，需从图书馆东北门进）
内容简介：芯片作为信息社会的基石，正朝着高性能、低功耗、多样性和高集成度方向发展。纵观历史，持续创新和叛逆颠覆贯穿着芯片恢弘壮阔的发展历程。材料与架构的持续创新是集成电路芯片过去30多年来发展的核心驱动力，但每项改进都伴随着权衡与取舍。目前硅基芯片已成功迭代至3纳米制程节点，但随着摩尔定律推进并逼近物理极限，传统硅基半导体材料在芯片尺寸微缩极限下遇到短沟道效应等关键挑战，功耗上升和算力不足等瓶颈问题日益突出。后摩尔时代的晶体管尺寸持续微缩亟需芯片关键材料及其三维异质集成技术的创新。探索“后摩尔时代”新材料、新器件和新架构，有望突破芯片功耗和算力瓶颈，推动高端电子器件与集成电路芯片的可持续发展。
新型二维材料展示出优异的电学、热学、光学和力学性质及广阔的应用前景。尤其是二维半导体因其具有表面无悬挂键、原子级厚度和高迁移率等特性，可有效抑制硅基器件微缩极限下的短沟道效应，并实现出色的栅控和高驱动电流，可作为“后硅材料”延续cmos器件微缩，降低功耗，提高芯片集成度和算力。
本报告将介绍新型高迁移率二维材料（石墨烯、bi2o2se）的精准合成、规模化制备与关键界面结构调控方面的进展：实现了高品质石墨烯薄膜的精准快速合成和规模化制备，研制了石墨烯连续生长和4英寸石墨烯单晶晶圆生长装备，构筑了高性能石墨烯光电器件，开发了石墨烯透射电镜载网，成功应用于高分辨冷冻电镜成像表征；率先开发了全新超高迁移率二维半导体材料bi2o2se和高κ栅介电材料bi2seo5，实现了晶圆级二维半导体单晶制备和表界面调控，构筑了高κ自然氧化物栅高性能场效应晶体管、逻辑门器件及首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管。
嘉宾介绍：彭海琳，北京大学博雅特聘教授、国家杰出青年基金获得者、中组部“万人计划”科技领军人才、教育部长江学者特聘教授、国家重点研发计划首席科学家、中国化学会会士。吉林大学学士（2000年）、北京大学博士（2005年），斯坦福大学博士后（2005—2009年），2009年到北京大学工作至今，主要从事二维材料物理化学研究，在高迁移率二维材料（石墨烯、二维铋基材料）的精准合成、界面调控、制备装备研制和器件应用方面取得进展，已发表论文260余篇（含science和nature及子刊30余篇），撰写中文专著两部，授权专利70余项。
曾获small young innovator award、茅以升北京青年科技奖、国家自然科学二等奖、教育部青年科学奖、科学探索奖等荣誉。现任北京大学化学与分子工程学院副院长、北京石墨烯研究院（bgi）副院长、国家纳米科学中心副主任（兼）。
本次活动采取线上报名方式，名额有限，先到先得。校外人员报名参加活动，需自行解决入校和入馆事宜。
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北京大学图书馆
九三学社北京大学委员会
2023年12月11日
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